Диоды СВЧ генераторные на эффекте Ганна

Общая характеристика диодов СВЧ на эффекте Ганна

Диоды полупроводниковые сверхвысокочастотные арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн, а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре (РЭА). Применяются для создания генераторов малой и средней мощности, используемых в качестве передатчиков, гетеродинов в радиоэлектронной аппаратуре.
Преимущества диодов СВЧ на эффекте Ганна:

  • большой выбор диодов по СВЧ-мощности, частоте и полосе генерации;
  • низкий уровень амплитудных и фазовых шумов;
  • разнообразное конструктивное исполнение;
  • высокая надежность, обеспеченная 100 % технологическими испытаниями;
  • возможность изготовления по специальным требованиям потребителя.

Электрические параметры импульсных диодов СВЧ генераторных на эффекте Ганна

В таблице приведены электрические параметры и характеристики импульсных диодов СВЧ генераторных на эффекте Ганна при t = (25 ± 10)0C.

Тип диода Рабочий диапазон частот, ГГц Выходная импульсная мощность, мВт Импульсный рабочий ток, А Импульсное рабочее напряжение, В
мин тип макс тип
3А750А 8,24 - 8,5 10000 15000 25 15 35 - 55
3А750Б 8,5 - 8,9
3А750В 8,9 - 9,3
3А750Г 9,3 - 9,7
3А750Д 9,7 - 10,1
3А750Е 10,1 - 10,5 30 - 50
3А750Ж 10,5 - 10,9
3А750И 10,9 - 11,3
3А750К 11,3 - 11,7
3А750Л 11,7 - 12,05
3А750К1 11,3 - 11,7 8000 14000
3А762А 8,24 - 8,5 25000 30000 25 15 60 - 120
3А762Б 8,5 - 8,9
3А762В 8,9 - 9,3
3А762Г 9,3 - 9,7
3А762Д 9,7 - 10,1
3А762Е 10,1 - 10,5 60 - 100
3А762Ж 10,5 - 10,9
3А762И 10,9 - 11,3
3А762К 11,3 - 11,7
3А762Л 11,7 - 12,05