Транзисторы СВЧ полевые с барьером Шоттки

Общая характеристика транзисторов СВЧ полевых с барьером Шоттки

Арсенидогаллиевые планарные транзисторы СВЧ полевые с барьером Шоттки РТ900-А, РТ900-В, РТ900-С предназначены для применения в усилителях мощности до 4 ГГц.
Транзисторы СВЧ РТ900-А, РТ900-В, РТ900-С - бескорпусные, с контактными площадками на лицевой стороне. Возможны поставки в корпусном исполнении (металлокерамический корпус).
Габаритные размеры кристалла - 500х500х100 мкм.
Размер контактных площадок стока, истока и затвора - 50х50 мкм.
Единичная ширина затвора - 75 мкм.

Технические характеристики транзисторов СВЧ полевых с барьером Шоттки

Характеристика Тип СВЧ транзистора
РТ900-А РТ900-В РТ900-С
Ток стока Iс, мА 100 - 150 150 - 200 200 - 250
Напряжение отсечки Uотс, В 1,5 2,5 3,0
Напряжение насыщения, В 1,5 - 2
Напряжение пробоя Uзс, В 10 8 7
Коэффициент усиления на частоте 2 ГГц, дБ 13 - 17 (в зависимости от требований заказчика)
Коэффициент шума на частоте 2 ГГц, дБ 0,7 - 1,3 (в зависимости от требований заказчика)
Емкость барьера Шоттки (затвора), пФ 1,3 1,4 1,5
Крутизна ВАХ, мА / (В*мкм) 0,1
Температура окружающей среды, 0С -60 … +100
Максимальная температура, 0С +350
Срок службы, лет 5
Способ монтажа приклейка на токопроводящий клей или припой до Т = 300 0С